LONGi cho biết họ đã đạt được mức đánh giá hiệu quả là 26,81% đối với pin mặt trời dị thể không xác định được xác nhận bởi Viện Nghiên cứu Năng lượng Mặt trời của Đức tại Hamelin (ISFH).

Nhà sản xuất mô-đun quang điện Trung Quốc LONGi đã tiết lộ rằng pin mặt trời dị thể (HJT) không xác định của họ dựa trên các tấm silicon kích thước đầy đủ đã đạt được hiệu suất chuyển đổi năng lượng là 26,81% và đang được sản xuất hàng loạt. Kết quả này đã được xác nhận bởi ISFH ở Đức.

Martin Green, giáo sư tại Đại học New South Wales ở Úc và là người tạo ra "Bảng hiệu suất pin mặt trời", cho biết kết quả này là kỷ lục hiệu quả cao nhất đối với pin mặt trời silicon cho đến nay.

Ông cho biết: “Thành tích nổi bật này sẽ được đưa vào ấn bản tiếp theo của bảng hiệu suất được công bố trên PV Advances,” đồng thời lưu ý rằng kỷ lục trước đó là 26,7% do một nhà sản xuất Nhật Bản không xác định thiết lập vào năm 2017. Longi có thể đang đề cập đến kết quả đạt được bởi công ty hóa chất Nhật Bản Kaneka. Thiết bị silicon tinh thể 180 cm² của nó sử dụng công nghệ tiếp xúc ngược và tiếp xúc dị vòng đạt hiệu suất 26,63%.

"LONGi đã phá kỷ lục thế giới mới về hiệu suất chuyển đổi của pin mặt trời silicon lần lượt là 26,74%, 26,78% và 26,81%, khẳng định thêm quyết tâm của LONGi trong việc tiếp tục tập trung vào đầu tư R&D và thúc đẩy tiến bộ công nghiệp", nhà sản xuất Trung Quốc cho biết. .

Vào tháng 9, công ty cho biết họ đã đạt được hiệu suất 26,12% đối với pin mặt trời dị thể loại p (HJT) pha tạp gali dựa trên các tấm mỏng M6. Công ty cũng đã đạt được hiệu suất 25,47% cho cùng loại pin mặt trời vào tháng Ba.

Hơn nữa, nhà sản xuất Trung Quốc đã ghi nhận hiệu suất là 26,5% đối với pin mặt trời dị thể loại n vào tháng 6 và 25,19% đối với pin mặt trời TOPCon loại p vào tháng 7 năm 2021. Vào tháng 6 năm 2021, hãng đã đạt được mức hiệu suất là 25,21% đối với n- gõ tế bào TOPCon PV.